在半导体封装领域，精度与可靠性是永恒的追求。随着芯片集成度不断提升，纳米级的污染物都可能导致封装失效。真空等离子清洗技术凭借 “精准清洁 - 活化 - 改性” 的三位一体优势，成为突破传统清洗瓶颈的关键技术，在金属处理、晶圆级封装、先进封装及陶瓷封装中发挥着不可替代的作用。

铜合金引线框架表面的氧化层（CuO）是封装分层与键合失效的主要隐患。真空等离子清洗技术采用 Ar/H₂混合气体，通过氢自由基的化学还原与 氩离子的物理轰击协同作用，可将表面氧含量降至 0.1at% 以下，彻底剥离氧化层，为后续键合和封装提供 “分子级洁净” 的金属表面。

芯片焊盘若残留光刻胶或氟化物，会阻碍金线键合。等离子清洗通过物理溅射增加表面粗糙度，形成纳米级锚定点，同时通过化学活化引入极性基团（如 - OH、-COOH）。这一过程使键合拉力均匀性提升30% 以上，并可降低键合所需的温度和压力，在提升效率的同时减少芯片损伤，从源头保障键合可靠性。

晶圆凸点（Bumping）对表面洁净度要求严苛，微米级孔洞内的有机物或金属离子残留可能导致凸点塌陷。等离子清洗能穿透细微结构，有效清除氟污染、金属盐等污染物，为电镀或焊料沉积提供原子级清洁表面，显著降低后续工艺的缺陷率，确保凸点与晶圆的高质量结合。

传统湿法去胶依赖强酸强碱，易损伤晶圆结构并产生化学废液。等离子干法清洗以 氧自由基 为 “清洁剂”，通过氧化分解光刻胶，实现无残留、无损伤去胶，精度更高且环保无害，契合半导体制造的绿色化、精细化趋势。

倒装焊前，芯片与载板表面的焊料氧化膜（如 SnO₂）会影响焊接界面的导电性和机械强度。等离子清洗可快速清除氧化膜，优化界面活性，增强焊料与基材的结合力，确保焊接接点的高导电性与可靠性。

在 3D 封装的 TSV（硅通孔）工艺中，高深宽比（如 10:1 以上）的孔道内常残留绝缘层或蚀刻副产物，导致电阻升高。等离子体凭借优异的深孔穿透能力，可均匀去除孔壁污染物，保障垂直互连的电性能稳定性，为 3D 集成的高密度互连奠定基础。

陶瓷基板表面吸附的金属浆料残留会降低电镀 Ni/Au 的质量。等离子清洗通过去除污染物并激活表面活性，使镀层附着力提升50%，确保导电层均匀致密，避免因镀层缺陷导致的信号传输或可靠性问题。

 陶瓷盖板与金属密封区的结合需超高洁净度。等离子处理后，表面活性增强，环氧树脂可更均匀地填充界面，使封装气密性达＜20mtorr/min，满足航空航天、汽车电子等高端领域对高可靠性密封的严苛要求。

从金属表面的分子级清洁到晶圆孔道的原子级净化，真空等离子清洗技术以非接触、高精度、环保的特性，深度融入半导体封装的每一个关键环节。随着芯片制造向更小尺寸、更高集成度发展，对表面处理的要求也将不断提升，等离子清洗技术的价值也将进一步凸显。

在半导体表面处理领域，鹏硕始终专注于真空等离子技术的创新与应用。其研发的真空等离子除胶机（PS-137H），针对光刻胶剥离等难题，采用高效干法工艺，实现无损伤、无残留的清洁效果，显著提升生产效率与产品良率。无论是晶圆级封装还是先进封装工艺，鹏硕真空等离子除胶机均以卓越的性能，为半导体制造的可靠性保驾护航，成为行业值得信赖的合作伙伴。